EUR-Lex Access to European Union law

Back to EUR-Lex homepage

This document is an excerpt from the EUR-Lex website

Document 32022R0001R(01)

Rättelse till Kommissionens delegerade förordning (EU) 2022/1 av den 20 oktober 2021 om ändring av Europaparlamentets och rådets förordning (EU) 2021/821 vad gäller förteckningen över produkter med dubbla användningsområden (Europeiska unionens officiella tidning L 3 av den 6 januari 2022)

EUT L 20, 31.1.2022, p. 282–282 (BG, ES, CS, DA, DE, ET, EL, EN, FR, GA, HR, IT, LV, LT, HU, MT, NL, PL, PT, RO, SK, SL, FI, SV)

ELI: http://data.europa.eu/eli/reg_del/2022/1/corrigendum/2022-01-31/oj

31.1.2022   

SV

Europeiska unionens officiella tidning

L 20/282


Rättelse till Kommissionens delegerade förordning (EU) 2022/1 av den 20 oktober 2021 om ändring av Europaparlamentets och rådets förordning (EU) 2021/821 vad gäller förteckningen över produkter med dubbla användningsområden

( Europeiska unionens officiella tidning L 3 av den 6 januari 2022 )

På sidan 142, bilaga I punkt 3B001, ska led f ersättas med följande:

”f)

Litografisk utrustning enligt följande:

1.

Utrustning för uppriktning samt exponering med repetermöjlighet (step and repeat, direkt step on wafer) eller scanner (step and scan) som använder röntgen eller foto-optiska metoder och som har något av följande:

a)

Ljuskällans våglängd är kortare än 193 nm, eller

b)

kan producera ett mönster med en ’minsta upplösning för systemdimensionen’ (MRF) på 45 nm eller mindre.

Teknisk anmärkning:

Den ’minsta upplösningen för systemdimensionen’ (MRF) beräknas med följande formel:

Image 1

där K är en skalfaktor = 0,35

2.

Litografisk präglingsutrustning som kan framställa detaljer på 45 nm eller mindre.

Anmärkning:

Avsnitt 3B001.f.2 omfattar följande:

Verktyg för mikrokontakttryck.

Verktyg för värmeprägling.

Verktyg för nanopräglingslitografi.

S-FIL-verktyg (step and flash imprint lithography).

3.

Utrustning som är speciellt konstruerad för att tillverka masker och som har allt av följande:

a)

Den använder avlänkade fokuserade elektron-, jon- eller ”laser” strålar, och

b)

har något av följande:

1.

En halvvärdesbredd på under 65 nm och bildplacering på mindre än 17 nm (medelvärde + 3 sigma). eller

2.

Används inte.

3.

Misspass på andra lagret på mindre än 23 nm (medelvärde + 3 sigma) på masken.

4.

Utrustning som är konstruerad för bearbetning med hjälp av direkta skrivmetoder och som har allt av följande:

a)

Den använder avlänkade fokuserade elektronstrålar, och

b)

har något av följande:

1.

En minsta strålstorlek på högst 15 nm. eller

2.

Misspass på mindre än 27 nm (medelvärde + 3 sigma).”


Top