EUR-Lex Access to European Union law

Back to EUR-Lex homepage

This document is an excerpt from the EUR-Lex website

Document 32022R0001R(01)

Helyesbítés az (EU) 2021/821 európai parlamenti és tanácsi rendeletnek a kettős felhasználású termékek jegyzéke tekintetében történő módosításáról szóló, 2021. október 20-i felhatalmazáson alapuló bizottsági rendelethez (Az Európai Unió Hivatalos Lapja L 3., 2022. január 6.)

HL L 20., 2022.1.31, p. 282–282 (BG, ES, CS, DA, DE, ET, EL, EN, FR, GA, HR, IT, LV, LT, HU, MT, NL, PL, PT, RO, SK, SL, FI, SV)

ELI: http://data.europa.eu/eli/reg_del/2022/1/corrigendum/2022-01-31/oj

2022.1.31.   

HU

Az Európai Unió Hivatalos Lapja

L 20/282


Helyesbítés az (EU) 2021/821 európai parlamenti és tanácsi rendeletnek a kettős felhasználású termékek jegyzéke tekintetében történő módosításáról szóló, 2021. október 20-i felhatalmazáson alapuló bizottsági rendelethez

( Az Európai Unió Hivatalos Lapja L 3., 2022. január 6. )

A 142. oldalon, a melléklet 3B001.f pontja helyébe a következő szöveg lép:

„f.

Litográfiai berendezés, az alábbiak szerint:

1.

A fotóoptikai vagy röntgen módszerrel történő szeletfeldolgozásra szolgáló irányzó, exponáló és ismétlő (közvetlen szeletre fotózás) vagy exponáló és letapogató (letapogatás) berendezés, amely rendelkezik az alábbi jellemzők bármelyikével:

a.

a fényforrás hullámhosszúsága rövidebb, mint 193 nm; vagy

b.

képes 45 nm, vagy annál kisebb 'minimális felbontási méretű' (MRF) minta létrehozására.

Műszaki megjegyzés:

A 'minimális felbontási méret' (MRF) kiszámítása a következők szerint történik:

Image 1

ahol a „K” faktor = 0,35

2.

45 nm vagy annál kisebb felbontási méretű minta létrehozására képes imprinting litográfiai berendezés;

Megjegyzés:

A 3B001.f.2. pont magában foglalja az alábbiakat:

mikrokontaktus-nyomtatók

forró dombornyomásra szolgáló eszközök

nano-imprinting litográfiai eszközök

Step and Flesh imprinting litográfiai (S-FIL) eszközök

3.

Kifejezetten maszkkészítésre tervezett berendezés, amely rendelkezik az alábbiak mindegyikével:

a.

eltérített fókuszált elektronsugár, ionsugár, vagy „lézer” sugár; és

b.

rendelkeznek az alábbiak bármelyikével:

1.

a félértékszélességű sugárpont mérete kisebb, mint 65 nm és a képelhelyezés kisebb, mint 17 nm (számtani közép + 3 szigma); vagy

2.

nem használt;

3.

a maszkon a második rétegi átfedési hibája kisebb, mint 23 nm (számtani közép + 3 szigma);

4.

Eszköz gyártására tervezett berendezés, amely közvetlen írásos módszert alkalmaz, és amely rendelkezik az alábbi jellemzők mindegyikével:

a.

eltérített fókuszált elektronsugár; és

b.

rendelkeznek az alábbiak bármelyikével:

1.

a sugár minimális mérete 15 nm vagy annál kisebb; vagy

2.

az átfedési hiba kisebb, mint 27 nm (számtani közép + 3 szigma);”


Top