EUR-Lex Access to European Union law

Back to EUR-Lex homepage

This document is an excerpt from the EUR-Lex website

Document 32022R0001R(01)

Oprava nařízení Komise v přenesené pravomoci (EU) 2022/1 ze dne 20. října 2021, kterým se mění nařízení Evropského parlamentu a Rady (EU) 2021/821, pokud jde o seznam zboží dvojího užití (Úřední věstník Evropské unie L 3 ze dne 6. ledna 2022)

Úř. věst. L 20, 31.1.2022, p. 282–282 (BG, ES, CS, DA, DE, ET, EL, EN, FR, GA, HR, IT, LV, LT, HU, MT, NL, PL, PT, RO, SK, SL, FI, SV)

ELI: http://data.europa.eu/eli/reg_del/2022/1/corrigendum/2022-01-31/oj

31.1.2022   

CS

Úřední věstník Evropské unie

L 20/282


Oprava nařízení Komise v přenesené pravomoci (EU) 2022/1 ze dne 20. října 2021, kterým se mění nařízení Evropského parlamentu a Rady (EU) 2021/821, pokud jde o seznam zboží dvojího užití

( Úřední věstník Evropské unie L 3 ze dne 6. ledna 2022 )

Strana 142, příloha, bod 3B001.f se nahrazuje tímto:

„f.

litografická zařízení:

1.

nastavovací a krokovací nebo krokovací a snímací zařízení na zpracování destiček polovodičů za použití fotooptických nebo rentgenových metod, která mají některou z těchto vlastností:

a.

vlnová délka světelného zdroje kratší než 193 nm; nebo

b.

schopnost exponovat obrazce s ‚velikostí nejmenšího rozlišitelného prvku‘ (MRF) 45 nm nebo menší;

Technická poznámka:

‚Velikost nejmenšího rozlišitelného prvku‘ se vypočítá podle vzorce:

Image 1

kde K faktor = 0,35

2.

vybavení pro tiskovou litografii schopné vyrábět struktury o velikosti 45 nm nebo menší;

Poznámka:

Položka 3B001.f.2. zahrnuje:

mikrokontaktní tiskové nástroje

nástroje pro ražení za tepla

nástroje pro nanotiskovou litografii

nástroje pro tiskovou litografii technikou „Step and flash“ (S-FIL)

3.

Zařízení speciálně konstruovaná pro výrobu masek, která mají všechny tyto vlastnosti:

a.

využívají vychylovaného zaostřeného elektronového paprsku, iontového paprsku nebo „laserového“ paprsku; a

b.

mají některou z těchto vlastností:

1.

stopa paprsku o šířce v polovině maxima (full-width at half maximum (FWHM)) menší než 65 nm a umístění obrazu menší než 17 nm (střed + 3 sigma); nebo

2.

nevyužito;

3.

chyba překrytí masky druhou vrstvou menší než 23 nm (střed + 3 sigma);

4.

zařízení konstruovaná pro zpracování součástek za použití metod přímého zápisu, která mají všechny tyto vlastnosti:

a.

mají vychylovaný zaostřený elektronový paprsek; a

b.

mají některou z těchto vlastností:

1.

minimální velikost paprsku nejvýše 15 nm; nebo

2.

chyba překrytí menší než 27 nm (střední hodnota + 3 sigma);“.


Top