Berigtigelse til Kommissionens delegerede forordning (EU) 2022/1 af 20. oktober 2021 om ændring af Europa-Parlamentets og Rådets forordning (EU) 2021/821 for så vidt angår listen over produkter med dobbelt anvendelse
Side 142, Bilaget, punkt 3B001.f affattes således:
»f.
Følgende litografiske udstyr:
1.
Step and repeatudstyr (direkte waferstepper) eller step and scanudstyr (scanner) til positionering og eksponering i forbindelse med waferprocesser ved brug af foto-optiske eller røntgenmetoder og med en eller flere af følgende egenskaber:
a.
Lyskildebølgelængde kortere end 193 nm eller
b.
I stand til at frembringe et mønster med en ‘mindste detaljeopløsning’ (MRF) på 45 nm eller derunder.
Teknisk note:
»Mindste detaljeopløsning« (MRF) beregnes efter følgende formel:
hvor K-faktor = 0,35.
2.
Litografiske udstyr til prægning, der kan frembringe detaljer på 45 nm eller mindre;
Note:
3B001.f.2 omfatter:
—
Mikrokontakttrykkeredskaber
—
Varmeprægningsredskaber
—
Litografiske redskaber til nanoprægning
—
Litografiske (S-FIL) redskaber til step-and-flash-prægning.
3.
Udstyr, der er specielt konstrueret til maskefremstilling med alle følgende egenskaber:
a.
En afbøjet fokuseret elektronstråle, ionstråle eller » laser« stråle og
b.
Med en eller flere af følgende egenskaber:
1.
En fuld halvværdibredde (FWHM) pletstørrelse, der er mindre end 65 nm, og en billedplacering på mindre end 17 nm (gennemsnit + 3 sigma) eller
2.
Ikke anvendt
3.
En fuld halvværdibredde (FWHM) pletstørrelse, der er mindre end 65 nm, og en billedplacering på mindre end 17 nm (gennemsnit + 3 sigma).
4.
Udstyr, der er konstrueret til behandling af indretninger, og som bruger direkte skrivemetoder, med alle følgende egenskaber:
a.
En afbøjet fokuseret elektronstråle og
b.
Med en eller flere af følgende egenskaber:
1.
Stråle med en minimumstørrelse på højst 15 nm eller
2.
Overlay error på mindre end 27 nm (gennemsnit + 3 sigma).«
